Permet le procédé de recuit de contact et de substrat de GaN. Soutient des gaufrettes de 6 pouces et permet l'activation et l'oxydation en atmosphères de la charge-serrure environments/N2 de vide (LP).
Caractéristiques
Température de fonctionnement maximum : 1,200°C
Soutient un large éventail de tailles de gaufrette jusqu'à 6 pouces.
Un mécanisme automatique de rechange de gaufrette fournit le transfert de cassette-à-cassette.
L'appui de vide améliore des caractéristiques de recuit.
L'appui de charge-serrure de N2 permet le temps de rotation rapide.
Substrats de GaN de processus de boîte.
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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