Équipement de surveillance des gaz pour la surveillance de process LG-100 Series

pour détectionpour ligne de productionpour l'analyse

Aperçu
L'analyseur de gaz laser LG-100 Series effectue la mesure en temps réel des variations de pression partielle du tétrafluorure de silicium (SiF4) généré lors des procédés de gravure en fabrication de semi-conducteurs. Ces mesures permettent la détection d'endpoint et réduisent les risques de sous- ou sur-gravure, améliorant la productivité et le rendement.

Technologie et application
La LG-100 Series intègre la technologie d'analyse de gaz infrarouge IRLAM™ (Infrared Laser Absorption Modulation) de HORIBA. IRLAM réalise des mesures très sensibles de gaz traces au niveau ppb avec un temps de réponse d'environ 0,1 s. L'appareil prend en charge l'analyse multi-composants et une réponse rapide adaptée aux procédés d'attaque des circuits logiques avancés et aux applications hors plasma.

Caractéristiques principales

• Mesure à grande sensibilité et grande vitesse des composants d'échappement générés par les procédés de gravure
• Détection d'endpoint via les variations de composition gazeuse (surveillance du SiF4)
• Conçu pour la surveillance de procédés de gravure non plasma
• IRLAM™ permet la détection de gaz traces au niveau ppb avec un temps de réponse d'environ 0,1 s

Avantages
La surveillance en temps réel des pressions partielles assure une détection précise de l'endpoint lors de la gravure, limitant sous- et sur-gravure et favorisant un meilleur rendement de fabrication. L'analyse multi-composants rapide et sensible répond aux besoins de contrôle des architectures 3D modernes et prend en charge diverses exigences de procédé.

Fabricant / Classification
Entreprise fabricante : HORIBA STEC, Co., Ltd.
Segment : Semiconductor
Division : Dry Process Control

Caractéristiques / Spécifications techniques

• Gaz mesuré exemple : tétrafluorure de silicium (SiF4) — surveillance de la pression partielle dans des mélanges gazeux
• Principe de mesure : Infrared Laser Absorption Modulation (IRLAM™)
• Sensibilité : mesure de gaz traces au niveau ppb (capacité IRLAM)
• Vitesse de réponse : environ 0,1 s
• Application principale : détection d'endpoint en temps réel pendant les procédés de gravure
• Fonctionnalités : analyse multi-composants, réponse rapide pour la surveillance des procédés
• Usage prévu : fabrication de semi-conducteurs logique avancée ; applications non plasma