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Détecteur CMOS Vortex®-90EX
de rayons Xnumériquesilicon drift

détecteur CMOS
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Caractéristiques

Élément détecté
de rayons X
Technologie
numérique, CMOS, silicon drift, par diffraction de rayons X, thermoélectrique, fluorescence de rayons X
Application
de process

Description

Les détecteurs de rayons X à dérive au silicium Vortex-EX présentent des surfaces actives comprises entre 30 mm2 et 80 mm2. Les détecteurs Vortex-90EX sont fabriqués à partir de silicium de grande pureté en utilisant une technologie de production CMOS de pointe. Ils se caractérisent par une excellente résolution en énergie (<130 eV FWHM à Mn Kα est typique) et un taux de comptage élevé. Avec un temps de pic très court de 0,1 µs, un taux de comptage de sortie de 900 kcps est atteint. Une caractéristique unique de ces détecteurs est leur capacité à traiter des taux de comptage élevés avec une très faible perte de résolution en énergie et un décalage minimal du pic avec le taux de comptage. Spectroscopie de fluorescence X (XRF) en vrac et en micro-fluorescence Micro XRF (d'autres tailles seront bientôt disponibles) Diffraction des rayons X (XRD) Émission de rayons X induite par des particules (PIXE) Fluorescence des rayons X par réflexion totale (TXRF) Applications du rayonnement synchrotron Le Vortex-90EX fonctionne à une température proche de celle de la pièce et est refroidi par un refroidisseur thermoélectrique (TEC). Il peut être cyclisé aussi souvent que nécessaire sans dégradation des performances du détecteur. Les temps de refroidissement sont généralement inférieurs à 2 minutes. Les systèmes de spectroscopie de rayons X Vortex-90EX comprennent l'unité de détection et le boîtier de commande qui inclut les alimentations du détecteur, du TEC et d'un processeur d'impulsions numérique (DPP) optionnel avec le logiciel PI-SPEC. Le détecteur complet contient également un préamplificateur sensible à la charge et un système de stabilisation de la température, qui élimine les problèmes liés aux variations de la température ambiante.

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