Testeur de fuite M2 Wafer Edition

de tensionhaute tensiond'impulsions de courant

Brève description
Solution de test haute tension sur wafer pour dispositifs SiC et Si. M2 Wafer Edition intègre un générateur DC 10 kV pour le contrôle en phase précoce des die haute tension sur wafer avant la singulation, réduisant le packaging des composants défectueux et accélérant l'analyse du rendement.

Aperçu
La technologie SiC wide‑bandgap permet une nouvelle génération de dispositifs de puissance haute tension pour les transports, la transmission d'énergie et les énergies renouvelables. M2 Wafer Edition réalise des tests paramétriques et de contrainte jusqu'à 10 kV sur wafer pour vérifier le claquage, les fuites et la robustesse avant le conditionnement. La plateforme M2 est conçue pour une utilisation continue 24/7 en production : robuste, précise et modulaire pour supporter la production en grand volume et minimiser les interventions des opérateurs et de la maintenance. Son architecture extensible permet d'ajouter des capacités de test au fur et à mesure de l'évolution des produits.

Motifs

• Tester les produits de puissance à la plus haute tension. Le générateur DC 10 kV permet d'évaluer les architectures wide bandgap aux limites opérationnelles.
• Filtrer les défauts tôt. La couverture DC, UIS et Rg sur wafer (variante Pro) identifie les die défectueux avant singulation et packaging.
• Sécurité et protection. Les sondes wafer et les générateurs de test sont protégés contre les claquages provoqués par UIS grâce à la technologie SocketSafe™.

Présentation du produit — spécifications (comparaison des variantes)
CARACTÉRISTIQUES / CONFIGURATIONS : Wafer UHV | Wafer UHV Pro

Nombre de sites de test
Wafer UHV : 1 x site DC
Wafer UHV Pro : 1 x site combiné DC + Rg + UIS

Test paramétrique DC
Les deux variantes : 10 kV, 200 A (intégré)

Oxide de grille et qualité
Wafer UHV : —
Wafer UHV Pro : Mesure de la résistance de grille et de la capacité

UIS avalanche / qualité de la diode de corps
Wafer UHV : —
Wafer UHV Pro : 5 kV, 200 A charge inductive unclamped (UIS)

Remarques
La plateforme est modulaire et extensible ; la variante UHV Pro intègre des tests combinés (DC, RG, UIS) sur un seul site pour caractériser précocement la robustesse de la grille et de la diode de corps dans le flux de fabrication.