Testeur haute tension FTI-1000 Wafer HV

de courant alternatifDCpour équipement électrique

Présentation Le FTI‑1000 Wafer HV est un système ATE (automated test equipment) au niveau wafer conçu pour des tests à haute couverture de dispositifs discrets de puissance et de technologies wide‑bandgap. La variante Wafer HV fournit des sources DC et AC haute tension et s’adresse aux applications probe single‑site nécessitant jusqu’à 6 kV DC et 5,5 kV AC.

Motifs de choix

• Configuration flexible — Architecture modulaire Tester‑per‑Channel Board pour ressources indépendantes et extension évolutive
• Couverture électrique complète — Prise en charge des tests paramétriques DC et AC nécessaires à la caractérisation des MOSFET et dispositifs de puissance
• Contrôle logiciel accessible — FTI Studio facilite le bring‑up de la probe‑card, le développement des programmes de test et le debug pour équipes d’ingénierie et de production

Présentation détaillée Le FTI‑1000 couvre la caractérisation ingénierie et le wafer sort haute cadence avec des ressources de test DC et AC indépendantes capables de mesurer les paramètres MOSFET clés : caractéristiques DC, ΔVsd, switching inductif (UIL/UIS/CIS), charge de grille et résistance de grille. L’architecture modulaire basée sur USB permet une extension simple et un partitionnement flexible des ressources pour workflows probe single‑site et multisite. Le système s’intègre aux wafer probers automatisés et interfaces probe‑card sans dépendance à une plateforme mécanique spécifique, prenant en charge le développement de process, la caractérisation précoce des dispositifs et le wafer sort en volume.

Fonctionnalités / Configurations

• Variantes : Wafer HV (haute tension) et Wafer MV (moyenne tension)
• Nombre de sites de test — Wafer HV : 1 ; Wafer MV : jusqu’à 16
• Tests paramétriques DC — Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, etc.
• Mesures de grille — Rg, Cg, Qg ; options Rg sélectionnables / enfichables (0, 10, 25, 50 Ω et R enfichable utilisateur)
• Sources AC — Wafer HV : 5,5 kV AC ; Wafer MV : 1,2 kV AC
• Courant de commutation AC — Wafer HV : jusqu’à 200 A ; Wafer MV : jusqu’à 100 A
• Énergie d’avalanche — >10 J (les deux variantes)
• Options d’inductance de charge — inductances discrètes enfichables ou boîte d’inductances sélectionnable

Caractéristiques techniques

• Famille modèle : FTI‑1000 Wafer
• Application principale : Tests wafer‑level pour dispositifs discrets de puissance et composants wide‑bandgap
• Architecture : Tester‑per‑Channel Board modulaire, framework USB ; évolutif pour applications probe single‑site et multisite
• Logiciel : FTI Studio — bring‑up probe‑card, développement programmes de test, capture d’onde, génération automatique de data‑sheet, schmoo plot, analyse PAT selon AEC‑Q001 Rev. C
• Tension source DC — Wafer HV : 6 kV ; Wafer MV : 1,2 kV
• Plage d’entraînement courant — Wafer HV : à partir de 10 mA ; Wafer MV : à partir de 25 mA
• Courant de commutation crête — Wafer HV : jusqu’à 200 A ; Wafer MV : jusqu’à 100 A
• Entrées/sorties numériques : option pour 8 canaux numériques indépendants (IC Channel Board)
• Options enfichables : extensions haute tension, modules impulsifs haute intensité, digitizers, mesure Rg basée LCR
• Dimensions : Système 541 × 345 × 206 mm ; alimentation 345 × 176 × 103 mm
• Secteurs visés : automobile, industriel, développement et production de dispositifs wide‑bandgap