Système de dépôt ALD ALD 1200

de couches mincesrobotiséoptique

Vue d'ensemble Découvrez le système de dépôt par couche atomique le plus innovant pour les revêtements optiques - le Leybold Optics ALD 1200. ALD spatial amélioré par plasma pour des films double face ultra-uniformes sur des substrats jusqu'à 8x ⌀300 mm. Le système produit des revêtements ultra-minces, denses et à contrainte contrôlée sur des substrats 3D micro-structurés et incurvés - double face en un seul passage. Avec des taux de dépôt élevés sur 8 substrats allant jusqu'à 300 mm, des températures de traitement allant de 50 à 230°C et des solutions de manipulation des wafers entièrement personnalisables, il combine la meilleure conformité de sa catégorie avec un débit et une propreté de qualité semi-conducteur. Avantages clés

• Précision sur chaque surface : Revêtements conformes ultraminces sur des substrats 3D nanostructurés et incurvés
• Optimisé pour un débit élevé : La séparation spatiale des gaz augmente les taux de croissance ; production de plusieurs wafers en un seul passage
• Parfaitement adapté à vos besoins : Revêtements double face sans retournement, réduisant le temps de cycle et le risque de particules
• Flexibilité des matériaux : grande flexibilité des matériaux avec utilisation efficace des précurseurs pour une mise à l'échelle rentable
• Contrôle optique in situ : Contrôle en boucle fermée OMS 6000 pour des empilements multicouches complexes avec des résultats reproductibles
• Intégration complète de la fabrication : Manipulation automatisée des wafers SMIF et FOUP ; compatible SEMI S2/S8 ; compatible SECS:GEM

Caractéristiques principales

• Vitesses de dépôt élevées jusqu'à 0,5 nm/s sur 8 substrats
• Formats évolutifs jusqu'à des tailles de substrat de 300 mm ; non-uniformités < ; ±1.0% sur 300 mm
• Haute conformité et revêtements neutres aux contraintes
• Faible température de dépôt assistée par plasma < ; 100°C pour les substrats sensibles à la température
• Prise en charge de 4 précurseurs différents
• Propreté prête à l'emploi avec de faibles niveaux de particules adaptés aux lignes d'optique de précision et de semi-conducteurs
• Système de surveillance optique in situ OMS 6000

Applications L'ALD 1200 est idéal pour les applications nécessitant des revêtements ultra-uniformes, sans trou d'épingle, sur des structures complexes ou des substrats 3D tels que des lentilles fortement incurvées et des structures à rapport d'aspect élevé. Les domaines d'application typiques sont les suivants :

• Fabrication de semi-conducteurs (masques durs, remplissage de tranchées, oxydes de grille, encapsulation)
• Optique de précision et intégration photonique (PICs, métasurfaces, éléments optiques diffractifs)
• Détection (capteurs de proximité, capteurs de proximité, imagerie hyperspectrale, LiDAR, CIS)
• Éclairage et affichage (LED, microLED, VCSEL, OLED)
• Science de la vie (microscopie, endoscopie)
• Optique grand public (lentilles de smartphones et d'appareils photo, lunettes AR)

Procédés de revêtement

• Filtres
• Miroirs
• Revêtements AR
• Remplissage de tranchées
• Revêtements barrière
• Oxydes de grille

Matériaux (exemples)

• SiO2 et divers oxydes
• Groupe de matériaux TCO et autres matériaux sur demande

FAQ - Ce qu'il est bon de savoir

• Quand utiliser l'ALD ? Lorsque la qualité optique, l'intégrité de la barrière et l'uniformité 3D sont critiques. L'ALD spatiale améliorée par plasma produit des films denses et neutres à basse température avec un contrôle précis et répétable de la couche.
• Comment fonctionne l'ALD spatiale ? L'ALD spatiale dépose des couches minces en répétant des réactions de surface autolimitées : les précurseurs se chimisorbent sur le substrat, sont modifiés dans la zone plasma et se déposent couche par couche pour un contrôle précis de l'épaisseur et une couverture conforme.
• Avantages par rapport à la pulvérisation cathodique/évaporation : L'ALD permet d'obtenir une conformation supérieure, des films sans trou d'épingle et un contrôle des contraintes sur des substrats 3D complexes.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Modèle : ALD 1200 (Leybold Optics)
• Méthode de dépôt : ALD spatial assisté par plasma, double face en une seule passe
• Capacité de substrats : multi-wafer (jusqu'à 8 substrats)
• Taille maximale du substrat supporté : Ø 300 mm
• Vitesse de dépôt : jusqu'à 0,5 nm/s sur 8 substrats
• Température du procédé : 50-230°C ; option basse température assistée par plasma < ; 100°C pour les substrats sensibles à la température
• Uniformité d'épaisseur : non-uniformités < ; ±1,0 % sur 300 mm (typique)
• Précurseurs : prise en charge de 4 précurseurs différents
• Contrôle : Contrôle optique in situ OMS 6000 pour un contrôle en boucle fermée des piles multicouches
• Propreté : propreté prête à l'emploi avec de faibles niveaux de particules adaptés aux lignes d'optique de précision et de semi-conducteurs
• Intégration : Manipulation automatisée des wafers SMIF et FOUP ; compatible SEMI S2/S8 ; compatible SECS:GEM
• Applications ciblées : dispositifs à semi-conducteurs, optique de précision, intégration photonique, détection, éclairage/affichage, sciences de la vie, optique grand public