Machine d'évaporation sous vide pour l'électronique LTE

pour canon à électrons

Aperçu
La LEYBOLD OPTICS LTE series est une solution d'évaporation long‑throw conçue pour réaliser des structures à l'échelle nanométrique et des procédés de métallisation par lift‑off. Spécialement destinée aux applications semi‑conducteurs et à la R&D, elle permet des dépôts directionnels proches de la perpendiculaire pour des films structurés d'une grande uniformité.

Avantages clés

• Qualité de dépôt optimale : dépôts de haute précision sur plaquettes structurées avec effet d'ombre réduit pour des motifs 3D avancés.
• Service et expertise : accès au savoir‑faire Leybold Optics / Bühler en films minces et réseau de service mondial.
• Flexibilité : évaporation de métaux et d'oxydes, prise en charge de plusieurs formats d'wafer et forts débits de matière ; solution entièrement personnalisable.

Caractéristiques principales

• Géométrie long‑throw avancée avec distance source–dôme de 1,3 m pour une meilleure couverture et fidélité des motifs.
• Dôme et manutention adaptables pour jusqu'à 6 × 150 mm (option 200 mm sur demande).
• Association canon à électron et source plasma pour Plasma‑Impulse Atomic Deposition (PIAD) — meilleure adhérence et contrôle d'épaisseur.
• Système de dépôt perpendiculaire de précision conçu pour des angles quasi‑perpendiculaires et une uniformité directionnelle maximale.

Processus de lift-off / métallisation

• Evaporation physique (PVD)
• Revêtement en photorésist
• Dépôt de films minces structurés
• Lift‑off métallique

Applications

• Fabrication de semi‑conducteurs
• Microélectronique et optoélectronique
• R&D et production pilote nécessitant une structuration nanométrique

Services et formations
Installation, support process, maintenance et formation des opérateurs disponibles pour intégrer la série LTE aux lignes de production et aux activités R&D.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Famille de produits : LEYBOLD OPTICS LTE series
• Technologie : évaporation long‑throw (PVD) avec support canon électronique + plasma (PIAD)
• Distance source–dôme : 1,3 m
• Capacité substrat : jusqu'à 6 × 150 mm (option 200 mm sur demande)
• Taille d'wafer prises en charge : 1–6 pouces standard ; 8 et 12 pouces sur demande
• Matériaux : métaux (lift‑off métal) et oxydes ; compatible grands volumes de matière
• Géométrie de dépôt : dépôts directionnels quasi‑perpendiculaires pour minimiser l'ombrage
• Domaines d'application : fabrication de semi‑conducteurs, micro-/optoélectronique, R&D