Module photodiode à avalanche (APD)

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche (APD) sont utilisées pour détecter des intensités lumineuses extrêmement faibles. Les APD Si sont utilisés dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nm, et InGaAs est utilisé comme matériau semi-conducteur dans les APD pour la gamme de longueurs d'onde de 1100 à 1700 nm. Les photodiodes PIN convertissent la lumière en courant - sans qu'une tension de polarisation doive être appliquée. Le silicium est couramment utilisé comme matériau de détection bon marché dans la gamme Vis. Pour des exigences plus élevées, InGaAs est utilisé ; il couvre la gamme spectrale la plus large du Vis au NIR. Nous proposons le carbure de silicium en tant que détecteur « aveugle solaire » spécifiquement pour la gamme UV. Wavelength Opto-Electronic est le distributeur autorisé de la marque de produits LASER COMPONENTS en Singapour. APD au silicium Les Si-APD conviennent à la gamme spectrale de 225 nm à 1100 nm. APD au silicium pour le comptage de photons Les photodiodes à avalanche au silicium de la série SAP sont principalement utilisées pour le comptage de photons. Cette série présente le rendement le plus élevé et les taux de courant d'obscurité les plus bas. APD au silicium sensibles aux UV Le détecteur a été développé spécifiquement pour les applications (bio)médicales dans lesquelles les plus petits signaux dans la gamme spectrale UV/bleu à ondes courtes doivent être détectés.