Détecteur à semi-conducteur PVMI-3TE-10,6
dynamiqueIRcompact

détecteur à semi-conducteur
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Caractéristiques

Technologie
à semi-conducteur, dynamique, IR
Autres caractéristiques
compact, robuste, à refroidissement thermo-électrique

Description

2.0 - 13,0 µm, refroidissement thermoélectrique à trois étages, immersion optique, jonction multiple Le PVMI-3TE-8 est un détecteur infrarouge à jonction multiple à trois étages, refroidi thermoélectriquement, basé sur une hétérostructure sophistiquée de HgCdTe pour une meilleure performance et stabilité, immergé optiquement afin d'améliorer les paramètres de l'appareil. Le détecteur est optimisé pour une performance maximale à l'adresse λopt = 10.6.0 μm. Il est particulièrement utile comme détecteur de grande surface active fonctionnant dans une plage spectrale de 2,0 à 13,0 µm. La fenêtre calée à 3°, recouverte d'un revêtement anti-reflet en séléniure de zinc (wZnSeAR), empêche les effets d'interférence indésirables. Demandes : - Gamme spectrale de 2,0 à 13,0 µm - Refroidissement thermoélectrique en trois étapes - Application de la technologie des microlentilles par hyperhémimmersion - Pas de parti pris nécessaire - Pas de bruit en 1/f - Sensible à la polarisation du rayonnement IR Paramètre : PVMI-3TE-10,6 Matériel : MCT Tapez : Jonction multiple Immersion : Immersion Refroidissement : Trois étapes Longueur d'onde/ λopt/ µm : 10,6 Paquet : TO8, TO66 Fenêtre : calée, revêtue de ZnSe AR Détectivité/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1 : ≥1,5x109 Constante de temps/ τ/ ns : ≤3

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Catalogues

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.