Source de faisceau d'électrons UNI-Bulb®

UNI-Bulb Source de plasma RF pour l'oxygène, l'azote et l'hydrogène Optimiser la production de dispositifs électroniques et optoélectroniques Obtenez des conditions optimales pour la croissance du GaN des matériaux électroniques et optoélectroniques, ainsi qu'une stabilité plasma et une reproductibilité inégalées, grâce à la source plasma RF Uni-Bulb de Veeco. Le tube d'entrée de gaz PBN et l'ampoule plasma monobloc se combinent à la double bobine RF coaxiale pour un excellent couplage de puissance et une excellente évacuation de la chaleur. Plusieurs options de conception, y compris des plaques d'ouverture personnalisées, sont disponibles pour améliorer encore les performances de GaNenhance. Description Un plasma gazeux est un outil efficace pour la conversion de gaz sources hautement stables tels que N2 ou H2 en espèces atomiques et moléculaires plus actives convenant à la croissance des EGM. L'ampoule UNI-Bulb de Veeco est équipée d'un tube d'entrée de gaz PBN monobloc breveté et d'une ampoule plasma pour éliminer les fuites de gaz autour de l'ampoule. Le plasma qui en résulte est très stable et reproductible, ce qui permet de nombreuses heures de fonctionnement sans réajustement de la source. Les plaques d'ouverture interchangeables sont disponibles dans des configurations de conductance de gaz variable pour la croissance du GaN, des matériaux mixtes As/N, le dopage à l'azote, le nettoyage à l'hydrogène et la croissance assistée par hydrogène. La conception du trou de sortie minimise la teneur en ions dans le faisceau, tandis que les espèces neutres actives (atomiques et moléculaires) sont dirigées vers le substrat. Des plaques d'ouverture personnalisées à haute uniformité sont disponibles pour la plupart des systèmes MBE commerciaux permettant une uniformité typique de ±1%.