Amplificateur pour laser

RFoptiquenumérique

La lithographie EUV, vecteur de passage à l'ère numérique La lithographie EUV décroche la palme de la méthode d'avenir pour la fabrication des puces électroniques. Pendant de nombreuses années, l'industrie des semi-conducteurs a cherché un procédé économique et adapté à la production de masse, qui permettrait de créer des structures encore plus petites sur les plaquettes de silicium. ASML, Zeiss et TRUMPF ont développé conjointement une technologie permettant de générer de la lumière extrême ultraviolette (EUV) d'une longueur d'onde de 13,5 nanomètres pour l'usage industriel : dans une chambre sous vide, un générateur de gouttelettes propulse à chaque seconde 50 000 gouttes d'étain minuscules. Chacune de ces gouttes est atteinte par l'une des 50 000 impulsions laser, qui la transforme en plasma. Ce plasma dégage de la lumière EUV, laquelle est dirigée au moyen d'un miroir sur la plaquette à exposer. L'impulsion laser utilisée pour l'irradiation du plasma est fournie par un système laser CO2 pulsé mis au point par TRUMPF – l'amplificateur laser TRUMPF. De quelques watts à 40 kilowatts L'amplificateur laser TRUMPF multiplie l'intensité d'une impulsion laser par plus de 10 000. Efficace et fiable L'émission d'une pré-impulsion et d'une impulsion principale permet d'appliquer la pleine puissance de l'amplificateur laser sur la goutte d'étain. Une nouvelle application pour le laser CO2 Ce système laser à grande puissance repose sur un laser CO2 en mode cw. TRUMPF crée ainsi une nouvelle application pour cette technologie. Grand réseau de spécialistes Au terme de longues années d'étroite coopération, TRUMPF, ASML et ZEISS ont amené la technologie EUV à maturité industrielle