Diode à jonction PN CRF02
SMDde redressementhaute densité

diode à jonction PN
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Caractéristiques

Technologie
à jonction PN
Montage
SMD
Fonction
de redressement
Spécification électrique
haute densité
Caractéristiques techniques
à recouvrement rapide
Tension inverse

600 V

Description

- Courant direct moyen : IF (AV) = 0,5 A - Tension de pointe avant : VFM = 3 V (max) - Temps de récupération inverse très rapide : trr = 100 ns (max.) - Boîtier petit et fin adapté à l'assemblage de cartes à haute densité Surnom de Toshiba : "S-FLATTM L'utilisation continue sous des charges lourdes (par exemple, l'application d'une température/courant/tension élevée et le changement significatif de température, etc.) peut entraîner une diminution significative de la fiabilité de ce produit, même si les conditions de fonctionnement (c'est-à-dire la température/courant/tension, etc.) sont conformes aux valeurs nominales maximales absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée en examinant le manuel de fiabilité de Toshiba Semiconductor ("Handling Precautions"/Derating Concept and Methods) et les données de fiabilité individuelles (c'est-à-dire le rapport de test de fiabilité et le taux de défaillance estimé, etc.)

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.