Wafer en silicium 5 inch (125 mm)

6 inch (150 mm)200 mm (8 inch)4 inch (100 mm)

Présentation
Pièces en silicium ultrapures destinées à la fabrication et à l'évaluation en microélectronique. Produites selon la technologie Cross-edge et un système d'assurance qualité strict pour répondre aux exigences des étapes frontales et d'intégration de processus.

Avantages principaux

• Matériau : silicium ultrapure (monocristallin / polycristallin) réduisant le risque de contamination.
• Propriétés thermiques proches des plaquettes (conductivité thermique, chaleur spécifique, coefficient de dilatation), réduisant les dommages et améliorant le rendement et la productivité.
• Excellente conductivité thermique assurant une distribution d'épaisseur de film uniforme et stable.
• Bonne résistance à la chaleur et à la corrosion pour une durabilité accrue en process haute température.
• Usinage haute précision pour formes complexes, adapté à divers équipements.
• Construction monomatériau évitant le décollement de couche et les risques de contamination associés.

Exemples de pièces en silicium
Suscepteurs CVD, anneaux pour divers équipements | Anneaux de focalisation | Outillages de nettoyage
Plaques murales pour dômes d'implantation | Tubes | Goupilles
Outillages pour plaquettes guide d'onde optique | Tables | Buses

Plaquettes pour test de découpe (dicing)
Plaquettes pour pré-découpe, essais et évaluations disponibles.

Spécifications standard
Surface : finition miroir sur une face. Diamètres et options d'épaisseur disponibles :
Diamètre — Épaisseur (μm) :
4 in — ① 400–700 | ② 500±25 | ③ 530±25
5 in — ① 500–700 | ② 550±25 | ③ 625±25
6 in — ① 500–700 | ② 450±50 | ③ 625±25
8 in — ① 725–? | ② 725±50
12 in — ① 775±50
Conditionnement standard : empilage en pile (coin stack). Livraison en caisse possible selon spécification.

Autres
Plaquettes à contrôle de particules pour front-end disponibles (spécification particules : <30 particules >0,2 μm), selon demande.

Exemples d'usinage Si/céramique
Usinage de haute précision pour Si, Al2O3, AlN, saphir, etc. Exemples : découpe en barres d'environ 100 μm avec réduction du chipping ; découpe de céramiques métallisées avec réduction des bavures.

Caractéristiques techniques / spécifications

• Matériau : silicium ultrapure (monocristallin / polycristallin).
• Finition de surface : une face miroir / une face gravée (etch).
• Diamètres disponibles : 4 in, 5 in, 6 in, 8 in, 12 in.
• Options d'épaisseur : voir spécifications standard ci‑dessus (μm, selon diamètre).
• Applications : suscepteurs CVD, anneaux de focalisation, outillages de nettoyage, plaques murales d'implantation, tubes, goupilles, outillages pour guide d'onde, tables, buses, plaquettes factices.
• Capacités d'usinage : usinage haute précision, formes complexes, découpe fine ~100 μm, réduction de bavures sur céramiques métallisées.
• Plaquettes contrôlées en particules : disponibles pour front-end (≤30 particules >0,2 μm) sur demande.
• Conditionnement : empilage standard (coin stack); livraison en caisse selon spécification.