Capteur de pression relative t011 TBAR-UHIVS
résonantsiliciumMEMS

Capteur de pression relative - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - résonant / silicium / MEMS
Capteur de pression relative - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - résonant / silicium / MEMS
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Caractéristiques

Type de pression
relative
Technologie
silicium, MEMS, résonant
Autres caractéristiques
de haute précision, pré-calibré
Plage de pression

Min: 0,5 bar
(7,25 psi)

Max: 1,1 bar
(15,95 psi)

Précision

0,02 %

Stabilité à long terme

0,005 %, 0,01 %

Température de process

Min: -40 °C
(-40 °F)

Max: 60 °C
(140 °F)

Description

TBAR-UHIVS / USDI12 est équipé d'un transducteur doté de la technologie TERPS (Trench Etched Resonant Pressure Sensor), une technologie dans laquelle la pression est mesurée en observant la variation de fréquence d'un élément de silicium résonant micro-usiné. Le capteur est logé dans un boîtier spécial qui garantit une résistance considérable à la poussière et aux liquides, préservant d'excellentes normes de fonctionnement même dans des conditions climatiques défavorables. Le capteur est logé dans un boîtier spécial qui garantit une résistance considérable à la poussière et aux liquides, préservant d'excellentes normes de fonctionnement même dans des conditions climatiques défavorables. Un processus d'étalonnage minutieux est effectué à l'aide d'une chambre climatique qui permet de calibrer le capteur et d'adapter son fonctionnement à des altitudes spécifiques, en fonction des conditions environnementales réelles de l'installation. L'ensemble de la procédure est exécuté avec précision afin d'atteindre un niveau élevé de précision et de répétabilité des mesures par rapport à la température de fonctionnement

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.