Coucheuse de laboratoire RTSP-400

par pulvérisation cathodique

1. Le système de pulvérisation d'UHV est équipé de Armes à feu de pulvérisation de C.C pour déposer les matériaux semi-conducteurs et non-conducteurs (SI, SiO2, Al2O3, Si3N4, Cr2O3, ITO et d'autres matériaux). Arme à feu de pulvérisation de rf pour déposer l'aluminium, l'argent, l'or matériels conducteurs etc. Les sources d'alimentation d'énergie de C.C et de rf peuvent être flexibles échangé. 2. Les applications de système de pulvérisation d'UHV de Revêtements conducteurs sur les matériaux polymères, bois, tissus à de basses températures moins ℃ de 100 Application des revêtements conducteurs sur le verre, la céramique et d'autres matériaux diélectriques. 3. Représentation technique : 3. 1 pression finale de vide : améliorez que les torr 5.0×10-6. 3. 2. pression fonctionnante de vide : Torr 1.0×10-4. 3. 3. temps de Pumpingdown : de 1 atmosphère à 1.0×10-4 Torr≤ 3 minutes (la température ambiante, sèche, nettoient et vident la chambre) 3. 4. métallisant Al, le Cr, le Sn, le Ti, les solides solubles, le Cu (de pulvérisation) matériels… etc. 3. 5. modèle fonctionnant : Plein automatiquement /Semi-Auto/ manuellement 4. structure La machine de métallisation sous vide de pulvérisation d'UHV contient le système de clé accompli énuméré ci-dessous : 1. Puits à dépression 2. Système de pompage de vide de Rouhging (paquet de pompe de support) 3. Système de pompage de vide poussé (pompe de diffusion) 4. Système de commande électrique et d'opération 5. Système d'installation d'Auxiliarry (sous-système) 6. Système de dépôt