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Matrice de photodiodes chip PA2100
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Caractéristiques
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Description
technologie. Les photodiodes sont passivées avec du nitrure de silicium qui agit comme une couche antireflet. Elles sont ensuite collées au circuit imprimé et protégées par une colle époxy transparente. La matrice peut être utilisée en mode photovoltaïque ou photoconducteur.
Caractéristiques
Disponible en quatre options différentes
Longueur d'onde maximale à 830 nm
Avantages
Haute sensibilité
Faible capacité
Adapté au montage en surface (SMT)
Grande fiabilité
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