Présentation du produitFil diamanté spécialement conçu pour le découpage de plaquettes de silicium pour semi‑conducteurs et de matériaux en carbure. Assure une coupe stable et efficace avec une réduction des ruptures de fil. Équipé d'un système de contrôle automatique qui limite les variations de quantité d'abrasif (sable), garantissant une répartition uniforme de l'abrasif et une qualité de coupe constante. La production se déroule sous contrôle vidéo haute définition pour assurer la traçabilité. Un procédé de traitement spécifique améliore la ténacité et la résistance à l'usure du fil, diminuant les ruptures.
Paramètres du produitSpéc. & Modèle | Diamètre du fil fini(μm) | Force de rupture(N) | Usage
45μm | 62±3 | ≥9 | Découpe de semi‑conducteurs en silicium
65μm | 77±3 | ≥15 | Découpe de semi‑conducteurs en silicium
70μm | 80±3 | ≥17 | Découpe de semi‑conducteurs en silicium
70μm (12 pouces dédié) | 82±2 | ≥17 | Découpe de semi‑conducteurs en silicium
100μm | 111±3 | ≥29 | Découpe de semi‑conducteurs en silicium
Caractéristiques / spécifications techniques- Diamètres disponibles du fil fini : 45 μm, 65 μm, 70 μm, 70 μm (12 pouces dédié), 100 μm.
- Force de rupture : 45 μm ≥9 N (62±3 référence), 65 μm ≥15 N (77±3 référence), 70 μm ≥17 N (80±3 référence), 70 μm 12 pouces ≥17 N (82±2 référence), 100 μm ≥29 N (111±3 référence).
- Application principale : découpe de plaquettes de silicium et de matériaux en carbure pour l'industrie des semi‑conducteurs.
- Conception : coupe stable et efficace avec réduction des ruptures de fil.
- Système de contrôle : contrôle automatique de la quantité d'abrasif pour minimiser les variations et garantir une distribution uniforme.
- Production & qualité : fabrication sous surveillance HD pour assurer la traçabilité.
- Traitement des matériaux : procédé spécial améliorant la ténacité et la résistance à l'usure du fil, réduisant les ruptures.