Wafer en silicium

Introduction produit
Le contrôle du rendement est difficile pour les grandes tranches de silicium photovoltaïque minces et empilées. Nous sommes spécialisés dans le découpage depuis de nombreuses années, en développant des procédés à fil fin pour améliorer le rendement et les performances des wafers. Le service met l'accent sur la réduction des traces de fil et du TTV afin d'améliorer l'aspect et le taux de livraison des plaquettes. Nous proposons des services d'usinage pour plusieurs formats, notamment les séries 182 et 210, les wafers rectangulaires et les demi-wafers. Les équipements permettent de découper et d'usiner des wafers plus grands et plus fins pour s'adapter aux tendances du marché et aux exigences clients.

Paramètres du produit
N/P Type | Wafer Size | Wafer Thickness/μm | TTV/μm | Saw Mark/μm | Resistivity | MCLT/μs | Oxygen Content/ppma | Carbon Content/ppma
P | 182.2*182.2 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
P | 182*183.75 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
N | 182.2*183.75 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.2*182.2 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.3*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*105 | 110+15/-10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.3-2.1 | ≥1000 | ≤14 | ≤1
N | 182.3*105 | 130±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.6 | ≥4000 | ≤13 | ≤1
Note : les wafers peuvent être personnalisés sur la résistivité et les paramètres visuels selon les exigences du client.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Type de produit : services d'usinage et de découpe de grandes plaquettes silicium photovoltaïques (wafers).
• Objectif principal : réduire les traces de fil et le TTV pour améliorer l'aspect et le rendement des wafers grands et fins.
• Formats pris en charge et exemples de dimensions : 182.2×182.2 mm, 182×183.75 mm, 182.2×183.75 mm, 182.3×210 mm, 210×210 mm, 210×105 mm, 182.3×105 mm, wafers rectangulaires, demi-wafers et autres tailles sur mesure.
• Plages d'épaisseur et tolérances : exemples 150±10 μm, 130±8 μm, 110+15/-10 μm, 130±10 μm (selon type/taille).
• TTV (Total Thickness Variation) : typiquement ≤20 μm ou ≤25 μm selon le type N/P et la taille.
• Traces de coupe (saw mark) : typiquement ≤12.5 μm pour les types listés.
• Gamme de résistivité (exemples) : 0.3–2.1 Ω·cm, 0.4–1.1 Ω·cm, 0.4–1.6 Ω·cm, 0.6–1.6 Ω·cm (selon type/taille).
• MCLT (durée de vie des porteurs minoritaires) : exemples ≥70 μs, ≥1000 μs, ≥4000 μs selon configuration.
• Teneur en oxygène (exemples) : ≤15 ppma, ≤11 ppma, ≤14 ppma, ≤13 ppma (varie selon le type).
• Teneur en carbone : ≤1 ppma pour tous les types listés.
• Personnalisation : possibilité d'ajuster résistivité et paramètres visuels pour répondre aux besoins process et rendement.
• Capacité de service : usinage pour wafers 182, 210, rectangulaires et demi-wafers ; équipements compatibles avec le traitement de wafers plus grands et plus fins.