IC de puissance LND150

MOSFET

Le LND150 est un transistor haute tension à canal N en mode déplétion (normalement activé) utilisant la technologie DMOS latérale. La grille est protégée contre les décharges électrostatiques (ESD). Le LND150 est idéal pour les applications haute tension dans les domaines des interrupteurs normalement activés, des sources de courant constant de précision, de la génération de rampes de tension et de l'amplification. Caractéristiques du produit Absence de claquage secondaire Faible puissance requise pour l'entraînement Facilité de mise en parallèle Excellente stabilité thermique Diode source-drain intégrée Impédance d'entrée élevée et faible CISS Protection de la porte contre les décharges électrostatiques (ESD) Paramètres BVdss min (V) - 500 Rds (on) max (Ohms) - 1000 Vgs(off) Min (V (volt)) - -1,0 Vgs(off) Max (V (volt)) - -3.0 Boîtier - SOT-23, TO-92, SOT-89