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Machine de gravure de wafers plasma SPTS Omega®

Machine de gravure de wafers plasma - SPTS Omega® - KLA Corporation
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Caractéristiques

Type
plasma

Description

Les modules de traitement SPTS Omega® Rapier™ et DSi-v offrent une gravure du silicium à haute vitesse pour une variété d'applications. La gravure ionique réactive profonde (DRIE) du silicium utilise le procédé Bosch, qui commute la chimie du plasma de manière répétée entre les étapes de gravure (SF6) et de passivation (C4F8), pour créer une gravure anisotrope des tranchées ou des trous dans le silicium. Avec une base installée de >1500 modules de processus DRIE, KLA a des décennies d'expertise dans la gravure profonde du silicium pour les MEMS et d'autres applications. Le SPTS Rapier™ offre une conception à double source de plasma avec des zones de plasma découplées primaires et secondaires contrôlées indépendamment, avec des entrées de gaz doubles indépendantes. Il en résulte une distribution très concentrée et uniforme des radicaux, ce qui permet d'obtenir des taux de gravure élevés, une excellente uniformité transversale et un contrôle du CD, du profil et de l'inclinaison des caractéristiques. Ces performances peuvent être obtenues sur des plaquettes d'un diamètre allant jusqu'à 300 mm. La flexibilité multimode inhérente permet également la gravure d'oxydes complémentaires dans le même matériel. Le module SPTS DSi-v offre d'excellentes performances de gravure en profondeur du silicium pour les applications à forte charge. Le DSi-v est particulièrement adapté aux gravures de grandes cavités pour des applications telles que les microphones en silicium ou les capteurs de pression. Le Rapier™ et le DSi-v sont tous deux compatibles avec les plateformes de manipulation de plaquettes Omega® LPX, c2L ou fxP, ou intégrés avec différents modules de gravure et de dépôt de SPTS sur une plateforme de cluster Versalis™. Gravure ionique réactive profonde (DRIE) du Si pour le micro-usinage MEMS, les TSV, les tranchées d'alimentation, les vias Si dorsaux Gravure de Si en nappe pour la révélation de via et l'amincissement de la tranche de silicium Gravure d'oxyde peu profonde MEMS Emballage avancé Fabrication de dispositifs RF Fabrication de dispositifs de puissance Photonique

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.