Barrette de diodes laser haute puissance JDL-BAB-TE series
à onde continueà onde quasi-continueà état solide

barrette de diodes laser haute puissance
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Caractéristiques

Mode de fonctionnement
à onde continue, à onde quasi-continue
Technologie
à état solide
Spectre
proche infrarouge, NIR, à bande large
Applications
pour applications médicales, pour pompage optique, pour transformation de matière, de forte puissance, de process
Autres caractéristiques
haute puissance, à semi-conducteur, à diode
Puissance

Min: 40 W

Max: 500 W

Longueur d'onde

Min: 760 nm

Max: 1 060 nm

Description

Barres laser haute puissance pour le pompage optique et les applications laser à diode directe (DDL) dans le traitement des matériaux, la médecine ou la détection Jenoptik a été le pionnier de la technologie des lasers à diode de haute puissance et continue à fournir des lasers à diode de haute puissance à large zone d'émission dans la région spectrale 760 nm - 1060 nm. Nous fournissons des barres laser non montées capables de fonctionner en ondes continues (cw), en ondes dures (hp)*, en ondes longues (lp)** et en ondes quasi-continues (qcw) jusqu'à une puissance de sortie optique de 300 W (cw)/ 500 W (qcw). * l'impulsion dure correspond à un cycle profond de I = 0 à Imax @ par exemple, temps d'activation tON = 1 s et cycle de service de 50 % ** L'impulsion longue correspond à un fonctionnement avec des temps de marche tON ~ 5...100 ms et un rapport cyclique > 1% Services d'épitaxie de plaquettes Epitaxie de plaquettes Conception personnalisée de plaquettes épitaxiées pour les dispositifs optoélectroniques dans le proche infrarouge (NIR) Nos services d'épitaxie répondent aux besoins de structures Epi-wafer basées sur des substrats GaAs et des semi-conducteurs composés (Al, In, Ga) (As, P). Nous fournissons des structures de plaquettes épitaxiées sur mesure pour une variété de dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme spectrale 630 nm - 1200 nm, pour un traitement ultérieur au niveau de la plaquette par nos clients, par exemple : Lasers à émission par les bords : barres laser à grande surface et émetteurs uniques Lasers à émission de surface : lasers à émission de surface à cavité verticale (externe) (VCSELs, VECSELs) Diodes électroluminescentes (DEL) : y compris les diodes superluminescentes (SLED) et les diodes électroluminescentes à cavité résonnante (RCLED) Photodétecteurs Le contrôle strict des processus et de la qualité, la traçabilité, la confidentialité et plus de 20 ans d'expérience dans la croissance des Epi-wafer font de nous votre partenaire de confiance pour la conception d'Epi-wafer sur mesure.

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.