Caractéristiques de la machine- Impulsion femtoseconde
- Énergie d'impulsion élevée et puissance de crête
- Qualité de faisceau proche de la limite de diffraction
- Haute stabilité et fiabilité
ApplicationsCe laser utilise la technologie avancée d'amplification par impulsions étirées (CPA) pour fournir une émission femtoseconde proche de la limite de diffraction. Il est largement utilisé dans les secteurs des semi‑conducteurs et de l'électronique grand public pour l'usinage micro‑précis et une performance de processus constante.
- Découpe, perçage et traçage (verre, silicium, céramiques, circuits imprimés flexibles)
- Patronage de films minces (métaux, couches minces)
- Marquage (verre, silicium, céramiques, métaux, plastiques)
Fiche techniqueMode d'opération : Pulse
Puissance moyenne (W) : 50 W @ 600 kHz (alternative : 20 W @ 100 kHz)
Longueur d'onde centrale (nm) : 1030
Largeur de raie (nm) : <3 (3 dB)
Fréquence de répétition (kHz) : 50-2000 (réglable)
Durée d'impulsion (fs) : 600-30000 (personnalisable)
Énergie maximale par impulsion unique (µJ) : 200
Plage de réglage de puissance (%) : 0-100
Temps de réponse (µs) : <100
Qualité de faisceau (M2) : ≤1.3
Stabilité de puissance (%) : ≤2 (24 h)
Taille du spot (mm) : 2.5±0.3 (1/e2)
Ellipticité du spot (%) : >90 (typ. 93%)
Décalage du faisceau (mm) : <1.0
Angle de divergence du faisceau (mrad) : <0.5
Caractéristiques / spécifications techniques- Mode d'opération : Pulse
- Puissance moyenne : 50 W @ 600 kHz (alternative : 20 W @ 100 kHz)
- Longueur d'onde centrale : 1030 nm
- Largeur de raie : <3 nm (3 dB)
- Fréquence de répétition : 50-2000 kHz (réglable)
- Durée d'impulsion : 600-30000 fs (personnalisable)
- Énergie maximale par impulsion unique : 200 µJ
- Plage de réglage de puissance : 0-100%
- Temps de réponse : <100 µs
- Qualité de faisceau (M2) : ≤1.3
- Stabilité de puissance : ≤2% (24 h)
- Taille du spot : 2.5±0.3 mm (1/e2)
- Ellipticité du spot : >90% (typ. 93%)
- Décalage du faisceau : <1.0 mm
- Angle de divergence du faisceau : <0.5 mrad