Testeur de semi-conducteurs à large bande M2 Turret Edition

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Aperçu
Plateforme de test nouvelle génération pour produits de puissance à large bande interdite. Conçue pour la production à haut débit avec handlers rotatifs (turret) et convoyeurs, elle mesure paramètres statiques, performances de commutation dynamiques, qualité d'attachement thermique du die, caractéristiques du gate oxide et effectue des tests de contrainte comme avalanche et court-circuit via des générateurs de test modulaires haute performance.

Avantages clés

• Débit maximum : UPH jusqu'à plus de 15 000 dispositifs par heure (test turret en index-parallel).
• Large compatibilité : dispositifs de puissance SiC, GaN et Si (MOSFET, IGBT, JFET, bipolaires, diodes, etc.).
• Prêt pour la production : interfaces pour handlers rotatifs et convoyeurs, architecture modulaire et extensible selon l'évolution des besoins de test.

Présentation du produit / capacités
M2 Turret Edition intègre des générateurs de test ultra-rapides et un logiciel optimisé pour répartir le plan de test sur plusieurs générateurs et atteindre les vitesses maximales. Conçu pour un fonctionnement 24/7 en production à haut volume, le système propose des options modulaires pour ajouter des modules AC dynamic switch (Quasar, Pulsar), des modules DC parametric et des modules QA/thermiques.

CARACTÉRISTIQUES / CONFIGURATIONS (récapitulatif)
Variantes : Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
Nombre de sites de test : 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
Performance commutation AC dynamique : M2 DS5 Quasar jusqu'à 2 kA court-circuit | M2 DS5 Quasar jusqu'à 2 kA court-circuit | M2 DS6 Pulsar jusqu'à 7,5 kA court-circuit | M2 DS6 Pulsar jusqu'à 7,5 kA court-circuit
Test paramétrique DC : 3 kV 200 A (intégré) | 3 kV 200 A (intégré) | 3 kV 600 A (intégré) — extensible à 1 000 A | 3 kV 600 A (intégré) — extensible à 1 000 A

Domaines d'application
Tests électriques à haut débit pour toutes les étapes de production : KGD, dispositifs discrets encapsulés et modules ; adapté au probe wafer, test en bandelette et test final des composants de puissance.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Plateforme : M2 modulaire et extensible, optimisée pour des tests électriques ultra-rapides.
• Débit : UPH jusqu'à plus de 15 000 dispositifs par heure (approche index-parallel).
• Technologies prises en charge : SiC, GaN, Si.
• Types de tests : paramétrie statique, tests paramétriques DC, commutation AC dynamique, test thermal die-attach (deltaVSD), résistance et capacité du gate, tests avalanche et court-circuit, tests UIS/body-diode.
• Capacité DC paramétrique : intégré jusqu'à 3 kV ; 200 A standard sur certaines variantes ; variantes Pulsar : 3 kV 600 A intégré, extensible à 1 000 A.
• Commutation AC dynamique : Quasar (DS5) jusqu'à 2 kA ; Pulsar (DS6) jusqu'à 7,5 kA en court-circuit.
• Test thermal die-attach : M1 FB deltaVSD 1 kW, jusqu'à 300 V / 100 A (disponible sur variantes Pro / Pulsar Pro).
• UIS avalanche : 2,3 kV, 200 A charge inductive non clampée (variantes Pro / Pulsar Pro).
• Sites concurrents : 4 à 6 selon variante ; options RG, Quasar/Pulsar AC, FB, UIS et station QA configurables.
• Intégration : Conçu pour fonctionnement 24/7, robuste et précis ; interfaces pour handlers rotatifs et convoyeurs.