Système de test de vieillissement Hatina WLBI

thermiquede performancede vieillissement accéléré

Aperçu du produit
Le Hatina WLBI est une solution de Burn-In wafer-level (WLBI) et HTOL conçue pour les dispositifs de puissance sur wafer. La chambre de test compacte (emprise nominale 560×560×550 mm ; fiche technique D×W×H 560×560×560 mm) se connecte aux wafer probers standards pour permettre le Burn-In sur wafer entier avec un débit parallèle élevé. Des chauffages sont intégrés à chaque DUT pour assurer un contrôle thermique local précis et à faible consommation (approche sans four), réduisant la consommation énergétique et l'encombrement tout en simplifiant l'intégration à l'automatisation.

Avantages clés

• Prend en charge les technologies de puissance : Si, SiC et GaN
• Compatible avec wafers 6, 8 et 12 pouces
• Permet le burn-in sur wafer entier et les tests d'accélération de fiabilité
• Débit parallèle élevé pour des tests de cycle de vie économes
• S'intègre aux plates-formes de wafer prober standard

Fonctionnalités / Capacités fonctionnelles

• Chambre compacte de Burn-In à niveau wafer conçue pour s'interfacer avec les wafer probers standards
• Débit parallèle élevé : jusqu'à 1600 sites de test simultanément
• Limites électriques par site : jusqu'à 1,2 kV et 2 mA
• Prise en charge des configurations de test : burn-in fonctionnel, HTGB et HTRB
• Chauffages distribués intégrés à chaque DUT pour un contrôle thermique local précis et faible consommation
• Conception compatible salle blanche et prête pour intégration automatisée

Remarques paramètres / variantes

• Func_Test : Oui
• HTGB : Oui
• HTRB : Oui
• BVDSs : possible (future révision logicielle uIDE)
• IDSx : possible (future révision logicielle uIDE)
• Vth : possible (future révision logicielle uIDE)
• Jusqu'à 1600 die testés en une seule descente sur wafer (3 points de terminaison par site)

Caractéristiques techniques

• Nombre de sites de test : Jusqu'à 1600
• Dimensions (D × W × H) : 560 mm × 560 mm × 560 mm (fiche technique) ; aperçu compact : 560×560×550 mm
• Alimentation Drain HV : -50 V à 1,2 kV
• Alimentation Gate : -50 V à +50 V
• Courant en test fonctionnel : 2 mA
• Courant en test HTRB : 2 mA
• Courant en test HTGB : 2 mA
• Types de test pris en charge : burn-in fonctionnel, HTGB, HTRB, WLBI (wafer entier)
• Compatibilité wafer : 6, 8 et 12 pouces