MOSFET en silicium CDMSJ22010-650

Le CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22010-650 est un MOSFET de puissance à canal N à courant élevé, 650 volts, conçu pour les applications à commutation rapide et à haute tension telles que la correction du facteur de puissance (PFC) et les chargeurs de puissance. Ce MOSFET combine une capacité de tension élevée avec un faible rDS(ON), une faible tension de seuil et une faible charge de grille. MARQUAGE : CDMSJ 10-650 APPLICATIONS : - Correction du facteur de puissance - Alimentation TV - ASI - Chargeur PD - Adaptateur CARACTÉRISTIQUES : - Capacité de tension élevée (VDS=650V) - Faible charge de grille (Qgs=4nC) - Faible rDS(ON) (0.39Ω)