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MOSFET CDM22010-650

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Description

DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CDM22010-650 est un MOSFET de puissance à canal N de 650 volts et à courant élevé, conçu pour des applications à haute tension et à commutation rapide, telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les onduleurs de puissance. Ce MOSFET combine une capacité haute tension avec un faible rDS(ON), une faible tension de seuil et une faible charge de grille. CODE DE MARQUAGE : CDM10-650 DEMANDES : - Correction du facteur de puissance - Moteurs - Onduleurs d'énergie alternative - Éclairage à l'état solide CARACTÉRISTIQUES : - Capacité haute tension (VDS=650V) - Faible charge d'entrée (Qgs=8.0nC) - Faible rDS(ON) (0.88Ω)

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Catalogues

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.