Spectromètre de masse IMS Wf & SC Ultra

IMSde processpour l'industrie des semi-conducteurs

SIMS pour les applications de semi-conducteurs avancés Les IMS Wf et SC Ultra ont été spécialement conçus pour répondre aux besoins croissants de mesures SIMS dynamiques dans les semi-conducteurs avancés. Offrant une large gamme d'énergies d'impact (100 eV à 10 keV) sans compromis sur la résolution de masse et la densité du faisceau primaire, ils garantissent des performances analytiques inégalées à haut débit pour les applications les plus difficiles : implants très peu profonds et à haute énergie, oxydes de nitrure ultra-minces, portes métalliques à haute k, couches dopées au SiGe, structures Si:C:P, dispositifs PV et LED, graphène, etc... Du profilage en profondeur standard au profilage en profondeur ultra-mince L'une des premières conditions requises pour l'analyse des semi-conducteurs avancés est l'optimisation des conditions analytiques SIMS pour le profilage en profondeur sans abandonner les applications de profilage en profondeur standard. CAMECA a donc développé un instrument SIMS unique capable de pulvériser des échantillons avec une large gamme d'énergies d'impact : de la haute énergie (gamme de keV) pour les structures épaisses à l'ultra-basse énergie (≤ 150eV) pour les structures ultra-minces. Cette flexibilité dans le choix de l'énergie d'impact est disponible pour différentes conditions de pulvérisation bien contrôlées (espèces, angle d'incidence, etc...). Les CAMECA IMS Wf et SC Ultra sont les seuls instruments SIMS offrant de telles capacités d'EXtreme Low Impact Energy (EXLIE) sans compromis sur la haute résolution de masse et la haute transmission.