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Tension directe: 350 V
Tension inverse: 350 V
... RFN5BGE3S est une diode à récupération rapide de type planaire en silicium épitaxié. Faible perte de commutation Capacité de surcharge de courant élevée ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 600 V
Tension inverse: 600 V
... RFN20TJ6SFHG est à faible VF, faible perte de commutation, adapté au redressement général Faible tension directe Faible perte de commutation Capacité de surcharge de courant élevée ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 400 V
Tension inverse: 400 V
... RF201LAM4STF est une diode à récupération rapide de haute fiabilité pour l'automobile, adaptée au redressement général. Faible tension directe Faible perte de commutation Capacité de surcharge de courant élevée ...
ROHM Semiconductor
... RF202LAM2S est une diode à récupération rapide à faible VF et faible perte de commutation qui est appropriée pour la rectification générale. Faible tension directe Faible perte de commutation Capacité de surcharge de courant élevée ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 400 V
Tension inverse: 400 V
... RF101LAM4STF est une diode à récupération rapide de haute fiabilité pour l'automobile, adaptée à la rectification générale. Faible tension directe Faible perte de commutation Capacité de surcharge de courant élevée ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 10 kV - 300 kV
... Caractéristiques du produit 1. faible fuite, faible puissance, capacité de surtension élevée. 2. Temps de réponse rapide et efficace. 3. Tj Plage de température de jonction de fonctionnement -40~+175 . 4. Protection contre les avalanches ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tension inverse: 5 kV - 200 kV
... Caractéristiques du produit 1. faible fuite, faible puissance, capacité de surtension élevée. 2. Temps de réponse rapide et efficace. 3. Tj Plage de température de jonction de fonctionnement -40~+175 . 4. Protection contre les avalanches ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tension inverse: 2 kV - 50 kV
... Caractéristiques du produit 1. faible fuite, faible puissance, capacité de surtension élevée. 2. Temps de réponse rapide et efficace. 3. Tj Plage de température de jonction de fonctionnement -40~+175 . 4. Protection contre les avalanches ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tension directe: 0,9 V
Tension inverse: 300 V
... DESCRIPTION GÉNÉRALE RFR60F30APN est une diode de récupération ultra- rapide, fabriquée dans une technologie épitaxiale planaire avancée en silicium. Les paramètres du processus et la structure de l'appareil sont ajustés avec précision ...
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