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... Cette série de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) présente un courant de récupération inverse négligeable, une capacité de surtension élevée et une température de jonction maximale de 175 °C. ...
Tension directe: 1,5 V - 3 V
Tension inverse: 1 250, 600, 650 V
... Les diodes à récupération rapide de Renesas offrent des temps de récupération rapides à des fins de redressement dans des applications à très haute fréquence. ...
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 1,45 V - 2,2 V
Tension inverse: 600 V - 1 200 V
... au carbure de silicium (SiC). ST propose une gamme de 600 à 1200 V avec des diodes simples et doubles encapsulées dans des boîtiers allant de PowerFLATTM 8x8 à TO-247, y compris le TO-220 à isolation céramique. Les ...
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