- Métrologie - Laboratoire
- Composant Optique
- Photodiode InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Photodiode InGaAs XSJ-10-APD5-40avalanchePINchip on carrier
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Caractéristiques
- Spécifications
- InGaAs, avalanche
- Montage
- PIN, chip on carrier
Description
Description
Cette puce à photodiode à avalanche 10Gbps (puce APD) est une sorte de structure d'électrode terre-signal-terre (GSG), avec une taille de zone active éclairée par le haut est de Φ40μm. Les caractéristiques de ce produit sont une multiplication élevée, une faible capacité, une bande passante élevée, un faible coefficient de température et une excellente fiabilité, application dans le récepteur optique 10G SONET/SDH et 10G PON.
Caractéristiques
Zone active de Φ40μm.
Haute multiplication.
Débit de données élevé.
Faible coefficient de température.
Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE.
test et inspection à 100%.
Applications
10G SONET/SDH
10G PON
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