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Microscope STEM HF5000
pour la recherche en matériauxpour l'analyse de matériaude métrologie

microscope STEM
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Caractéristiques

Type
STEM
Applications
de métrologie, pour la recherche en matériaux, pour l'analyse de matériau
Technique d'observation
BF-STEM, DF-STEM, in-situ
Configuration
au sol
Source d'électrons
à émission de champ froid
Conception de lentille
avec correcteur d'aberration
Type de détecteur
d'électrons secondaires
Autres caractéristiques
haute résolution, automatisé, pour semi-conducteur, pour nanotechnologie, à fort grossissement
Grossissement

Min: 20 unit

Max: 8 000 000 unit

Résolution spatiale

0,08 nm, 0,1 nm

Description

Le TEM/STEM unique d'Hitachi à 200 kV avec correction d'aberration : l'harmonie parfaite entre la résolution d'imagerie et la performance analytique 0.la résolution spatiale de 078 nm en STEM est obtenue avec une grande capacité d'inclinaison de l'échantillon et un détecteur EDX à grand angle solide, le tout dans une configuration à objectif unique. Le HF5000 s'appuie sur les caractéristiques du STEM dédié Hitachi HD-2700, notamment le correcteur d'aberration entièrement automatisé d'Hitachi, l'EDX double SDD symétrique et l'imagerie SE corrigée du Cs. Il intègre également les technologies TEM/STEM avancées développées dans la série HF. L'intégration de ces technologies accumulées dans une nouvelle plate-forme TEM/STEM de 200 kV permet d'obtenir un instrument offrant une combinaison optimale d'imagerie et d'analyse sub-Å, ainsi que la flexibilité et les capacités uniques nécessaires pour mener à bien les études les plus avancées. ※ Avec écrans intégrés et 2ème écran en option. - Correcteur d'aberration sphérique Hitachi à formation de sonde entièrement automatisée - Canon à électrons froids FE à haute luminosité et haute stabilité (Cold FEG) - Colonne et blocs d'alimentation ultra-stables pour une meilleure performance de l'instrument - Capacité d'imagerie SEM et STEM simultanée avec correction Cs et résolution atomique - Nouvelle platine à entrée latérale et nouveaux porte-échantillons très stables - Deux détecteurs EDX* de 100 mm2 symétriquement opposés : "Symmetrical Dual SDD*" - Boîtier nouvellement conçu pour des performances optimales dans les environnements de laboratoire réels - Une large gamme de porte-échantillons avancés Hitachi* Cold FEG à haute luminosité×Haute stabilité×Correcteur d'aberration automatisé Hitachi Le nouveau Cold FEG à haute stabilité utilise une version entièrement repensée de la technologie de source d'électrons à émission de champ froid d'Hitachi, établie de longue date.

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