Sonde ionique focalisée NX2000

Les systèmes FIB-SEM sont devenus un outil indispensable pour la caractérisation et l'analyse des dernières technologies et des matériaux nanométriques à haute performance. La demande sans cesse croissante de lamelles TEM ultrafines sans artefacts pendant le traitement FIB exige les meilleures technologies en matière d'optique ionique et électronique. Le système FIB haute performance et SEM haute résolution NX2000 d'Hitachi, avec son contrôle unique de l'orientation de l'échantillon* et ses technologies à triple faisceau*, permet une préparation d'échantillons TEM à haut débit et de haute qualité pour les applications de pointe. La détection du point final du MEB en temps réel et à haut contraste permet la préparation d'échantillons TEM ultrafins de dispositifs de moins de 20 nm. Le micro-échantillonnage* et le mécanisme de positionnement de haute précision* permettent le contrôle de l'orientation de l'échantillon pour les effets anti-contournement (fonction ACE) et les lamelles d'épaisseur uniforme. Système à triple faisceau* Configuration à triple faisceau pour la réduction des dommages induits par le Ga FIB. - 3ème colonne d'ions Ar/Xe - Système de micro-échantillonnage - Système d'injection multi-gaz - Système à double inclinaison - Fonction Swing ( pour la 3ème colonne Ar/Xe ion) - Assistant de préparation d'échantillons TEM - Logiciel de préparation automatique d'échantillons TEM - Logiciel de navigation CAO - Logiciel de liaison avec les instruments de contrôle des défauts - Support de protection de l'air - Support de refroidissement - Nettoyeur de plasma - Système EDS (Spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie)