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Transistors de puissance
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Courant: 20 A
Tension: 650 V
... Coss) la plus élevée de l'industrie. C'est un produit de la série EcoGaN™ qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la taille en utilisant au mieux la faible résistance ON et la commutation ...
ROHM Semiconductor
Courant: 12 A
Tension: 40 V
... applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Paquet de petite taille à haute puissance (HSMT8) ♦placage sans plomb ; conforme à la norme RoHS ♦Sans halogène ...
ROHM Semiconductor
Courant: 10 A
Tension: 60 V
... applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Enveloppe de petite taille à haute puissance (HSMT8) ♦placage sans plomb ; conforme à la norme RoHS ♦Sans halogène ...
ROHM Semiconductor
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible ...
... Toshiba propose une large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, y compris les dispositifs de radiofréquence (RF) et d'alimentation. ...
Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... canal P en niveau normal et logique, réduisant la complexité de la conception dans les applications de moyenne et faible puissance Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ...
Infineon Technologies AG
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...
Courant: 5 A
Tension: 500 V
... Douilles pour transistors de puissance 5.pas de 45mm / 0.215 Haute température Faible dégagement gazeux Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les douilles ...
Courant: 5 A
... Douilles pour transistors de puissance Pour TO-247 (4 broches) Haute temp. ℃ Faible dégagement gazeux Cette douille de test pour transistor de puissance est compatible ...
Courant: 5 A
... Douilles de test pour transistors de puissance, pas personnalisé Courant élevé Pas Type standard/Type de trou traversant Faible dégagement gazeux Si vous souhaitez évaluer un dispositif qui n'est pas ...
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres ...
Power Integrations
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
Courant: 25 mA
Tension: 20 V
... NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tension de saturation du collecteur - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA Produit ...
Diotec
Courant: 200 mA
Tension: 40 mV
... Applications typiques Traitement du signal, Commutation, Amplification Qualité commerciale l) Caractéristiques Usage général Conforme à RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Courant: 100 mA
Tension: 65, 45, 30 V
... Applications typiques Traitement des signaux Commutation Amplification Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101 *) Suffixe -AQ : en qualification AEC-Q101 *) Caractéristiques Usage général Trois ...
Diotec
IXYS
... Les photocoupleurs automobiles (sortie transistor, sortie IC) sont disponibles dans de petits boîtiers avec une rigidité diélectrique élevée (3,75KV) et un fonctionnement à haute température jusqu'à 135 °C. Cela facilite ...
Tension: 7,5 V
... l'utilisation d'une large gamme de fréquences Protection ESD intégrée Amélioration de la stabilité intégrée Large bande - pleine puissance sur toute la bande Performance thermique exceptionnelle Robustesse ...
Courant: -0,5 A
Tension: -50 V
... 50A02CH est un transistor bipolaire, faible VCE(sat), PNP simple pour les applications d'amplificateur à usage général à basse fréquence. Applications Amplificateur basse fréquence Commutation à grande vitesse Entraînement ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... analogiques complets pilotant un MOSFET de puissance vertical, le tout sur la même puce. Les interrupteurs bas-côté, avec leurs caractéristiques supplémentaires intégrées, sont des interrupteurs de puissance ...
STMicroelectronics
Tension: -400 V - 1 000 V
... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les ...
Tension: 0,24 V - 3,5 V
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
Courant: 1 A - 5 A
Tension: 12 V - 400 V
... leader sur le marché des transistors bipolaires. En utilisant sa large gamme d'emballages internes et sa technologie supérieure au silicium, Diodes est idéalement positionnée pour répondre à vos besoins en matière de ...
Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 8 V - 35 V
... Le module Bluetooth est un module de transition pour la communication de données entre le mobile et le groupe électrogène. Il est connecté au contrôleur du groupe électrogène via RS485. L'APP du mobile permet d'obtenir des informations ...
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