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Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
Tension: 4 500, 5 200 V
... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme des puces dans ...
Courant: 25 mA
Tension: 13 V
... CARACTÉRISTIQUES - Alimentation DC-DC intégrée et isolée, alimentation unique topologie d'alimentation unique - Tension d'isolation élevée de 3750VAC - Fréquence du signal d'entrée jusqu'à 20kHz - Circuit de défaut intégré avec une broche ...
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible ...
Courant: 600 A
Tension: 1 200 V
... Les modules IGBT de Littelfuse offrent le rendement élevé et les vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisés pour les applications de contrôle ...
... Toshiba propose une large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, y compris les dispositifs de radiofréquence (RF) et d'alimentation. ...
Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... MOSFETs à canal P en niveau normal et logique, réduisant la complexité de la conception dans les applications de moyenne et faible puissance Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée ...
Infineon Technologies AG
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...
Courant: 5 A
Tension: 500 V
... Douilles pour transistors de puissance 5.pas de 45mm / 0.215 Haute température Faible dégagement gazeux Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les douilles de test pour ...
Courant: 5 A
... Douilles pour transistors de puissance Pour TO-247 (4 broches) Haute temp. ℃ Faible dégagement gazeux Cette douille de test pour transistor de puissance est compatible avec le boîtier TO-247(4 broches) ...
Courant: 5 A
... Douilles de test pour transistors de puissance, pas personnalisé Courant élevé Pas Type standard／Type de trou traversant Faible dégagement gazeux Si vous souhaitez évaluer un dispositif qui n'est pas pris en charge ...
Courant: 2,3, 3,2 mA
Tension: 650 V
... Applications typiques Convertisseurs DC/DC Alimentations Variateurs DC Outils électriques Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101x) Suffixe -AQ : dans la qualification AEC-Q101 *) Caractéristiques Technologie ...
Diotec
Courant: 25 mA
Tension: 20 V
... Tension collecteur-émetteur - Vceo 20 V Courant continu du collecteur - Ic - 25 mA Polarité - pol - NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic ...
Diotec
Courant: 200 mA
Tension: 40 mV
... Applications typiques Traitement du signal, Commutation, Amplification Qualité commerciale l) Caractéristiques Usage général Conforme à RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande ...
Power Integrations
Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V
... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant ...
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
Courant: 2 A
Tension: 36 V
... Avec ce MOSFET, vous pouvez contrôler une tension allant jusqu'à 36 volts. La modulation de la largeur d'impulsion permet d'abaisser la tension quadratique moyenne (par exemple, pour faire varier l'intensité lumineuse d'une LED). COMPATIBLE ...
Courant: 1 mA - 20 mA
Tension: 2,7 V
Broadcom
Courant: 20 A
Tension: 650 V
... GNP1070TC-Z est un HEMT GaN de 650V qui a atteint la classe FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss) la plus élevée de l'industrie. C'est un produit de la série EcoGaN™ qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la ...
ROHM Semiconductor
... Les photocoupleurs automobiles (sortie transistor, sortie IC) sont disponibles dans de petits boîtiers avec une rigidité diélectrique élevée (3,75KV) et un fonctionnement à haute température jusqu'à 135 °C. Cela facilite ...
Tension: 7,5 V
... de sortie pour radio portable à bande UHF Etage de sortie pour radio portable 700-800 MHz Pilote générique de 6 W pour transistors d'étage final ISM et de radiodiffusion ...
Courant: -0,5 A
Tension: -50 V
... 50A02CH est un transistor bipolaire, faible VCE(sat), PNP simple pour les applications d'amplificateur à usage général à basse fréquence. Applications Amplificateur basse fréquence Commutation à grande vitesse Entraînement ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... ST propose une large gamme d'interrupteurs bas-côté intelligents 3 et 5 broches de qualité automobile (OMNIFET) basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie brevetée permet l'intégration de circuits ...
STMicroelectronics
Tension: -400 V - 1 000 V
... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les familles MICRO FOOT® et PowerPAK® ...
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
SEMIKRON
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...
Diodes Incorporated
Courant: 10 A - 1 600 A
Tension: 600 V - 1 700 V
... Greegoo propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans différentes topologies, courants et tensions nominaux. De 15A à 1600A dans des classes de tension de 600V à 1700V, les modules ...
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Le transistor est un composant électronique semi-conducteur à trois broches ; il est utilisé comme interrupteur commandé ou bien comme amplificateur de signal.
ApplicationsLa technologie bipolaire est utilisée en électronique analogique et en électronique de puissance, en particulier comme amplificateur de courant et pour la régulation de tension.
Les transistors MOSFET sont appréciés pour leurs performances en commutation dans des applications de puissance et de haute tension, pour le contrôle de moteur et dans les alimentations à découpage.
On distingue principalement le transistor bipolaire du transistor FET, ou transistor à effet de champ. Le premier est commandé en courant par la base tandis que le second se commande en tension par la grille.
Ils se différencient en particulier par la nature de la chute de tension apparaissant dans le circuit commuté. Le transistor bipolaire introduit une chute de tension minimale liée aux jonctions semi conductrices. Le FET quant à lui présente l’équivalant d’une résistance de passage très basse, quelques millièmes d’ohm.
Les transistors bipolaires se déclinent en types N et P selon l’orientation du courant de commande sur la base.
Le transistor FET à canal P à tension de commande grille source négative est évité car ses performances sont moindres que le FET à canal N.
Il existe d’autres types de transistors : transistors pour la RF ou la HF, transistors Darlington à très fort gain et transistors IGBT et JFET.
Le gain, les courants admissibles et les tensions supportées, les limites en fréquences et le packaging sont des critères importants à prendre en compte dans le choix d’un transistor.
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