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transistor IGBT en tranchée / FS-IGBT / IGBT / de commutation
transistor IGBT en tranchée

Tension: 600, 650 V
Courant: 4 A - 80 A

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transistor IGBT

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transistor MOSFET
HS8K11

Tension: 30 V
Courant: 0 A - 44 A

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transistor bipolaire / pour petits signaux / avec résistances de polarisation intégrées / numérique
transistor bipolaire
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Tension: 50, 12, 60 V
Courant: 1, 0.5, 0.1 A

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transistor NPN / de commutation / en silicium / hybride
transistor NPN
Power management (dual transistors)

Tension: 50, 12 V
Courant: 0.1 A

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module transistors IGBT
module transistors IGBT
SEMITRANS®

Tension: 0 V - 1700 V
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module transistors
module transistors
SEMITRANS®

Tension: 1700 V
Courant: 1400 A

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Tension: 1700 V
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transistor MOSFET

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transistor bipolaire
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Courant: 0 A - 20 A

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transistor à effet de champ
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Tension: 12, 6 V

transistor MOSFET / de puissance
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Tension: 12 V - 100 V

transistor MOSFET / de puissance
transistor MOSFET
HEXFET®

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transistor MOSFET
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transistor bipolaire / de puissance
transistor bipolaire

Tension: 20 V
Courant: 82, 100 A

module transistors IEGT
module transistors IEGT

Tension: 3300 V
Courant: 1500 A

transistor bipolaire / de puissance / pour petits signaux
transistor bipolaire
1.3 W | BCX5x series

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transistor MOSFET / pour petits signaux / double
transistor MOSFET
50 V, 200 mA | CMKT3920

Tension: 400 V
Courant: 2 A

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transistor IGBT

Tension: 75 V - 1200 V
Courant: 200 A - 900 A

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DC - 20 GHz | TGF2018

Tension: 8 V
Courant: 29 mA

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Tension: 3 V
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transistor à effet de champ

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Commutateur statique 25 A Les différents types de commutateurs mécaniques souvent sollicités, nécessitent un entretien régulier. Lors de la commutation avec de forts courants continus les contacts subissent une abrasion importante. ...

transistor bipolaire / de puissance
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Comment choisir ce produit ?

transistor

Le transistor est un composant électronique semi-conducteur à trois broches ; il est utilisé comme interrupteur commandé ou bien comme amplificateur de signal.

Applications

La technologie bipolaire est utilisée en électronique analogique et en électronique de puissance, en particulier comme amplificateur de courant et pour la régulation de tension.
Les transistors MOSFET sont appréciés pour leurs performances en commutation dans des applications de puissance et de haute tension, pour le contrôle de moteur et dans les alimentations à découpage.

Technologies

On distingue principalement le transistor bipolaire du transistor FET, ou transistor à effet de champ. Le premier est commandé en courant par la base tandis que le second se commande en tension par la grille.

Ils se différencient en particulier par la nature de la chute de tension apparaissant dans le circuit commuté. Le transistor bipolaire introduit une chute de tension minimale liée aux jonctions semi conductrices. Le FET quant à lui présente l’équivalant d’une résistance de passage très basse, quelques millièmes d’ohm.

Les transistors bipolaires se déclinent en types N et P selon l’orientation du courant de commande sur la base.
Le transistor FET à canal P à tension de commande grille source négative est évité car ses performances sont moindres que le FET à canal N.

Il existe d’autres types de transistors : transistors pour la RF ou la HF, transistors Darlington à très fort gain et transistors IGBT et JFET.

Critères de choix

Le gain, les courants admissibles et les tensions supportées, les limites en fréquences et le packaging sont des critères importants à prendre en compte dans le choix d’un transistor.