Entrez en contact avec vos nouveaux clients en un seul endroit, toute l'année
Devenir exposant
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible perte d'énergie ...
Courant: 600 A
Tension: 1 200 V
... Les modules IGBT de Littelfuse offrent le rendement élevé et les vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisés pour les applications de contrôle de puissance, ...
Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... MOSFETs à canal P en niveau normal et logique, réduisant la complexité de la conception dans les applications de moyenne et faible puissance Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée pour les applications ...
Infineon Technologies AG
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT HiPak à haute ...
Courant: -0,5 A
Tension: -50 V
... 50A02CH est un transistor bipolaire, faible VCE(sat), PNP simple pour les applications d'amplificateur à usage général à basse fréquence. Applications Amplificateur basse fréquence Commutation à haute vitesse Entraînement de petits ...
Onsemi
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... ST propose une large gamme de commutateurs intelligents à 3 et 5 broches (OMNIFET) de qualité automobile basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie propriétaire permet d'intégrer sur une même puce des circuits de ...
STMicroelectronics
Tension: 7,5 V
... de sortie pour radio portable à bande UHF Etage de sortie pour radio portable 700-800 MHz Pilote générique de 6 W pour transistors d'étage final ISM et de radiodiffusion ...
Courant: 95 A
Tension: 40 V
... RH6G040BG est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Boîtier petit moule haute puissance (HSMT8) Placage sans plomb ; conforme à ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Tension: -400 V - 1 000 V
... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les familles MICRO FOOT® et PowerPAK® thermiquement ...
Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V
... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant utilise ...
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande sur un dispositif ...
Power Integrations
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble de montage ...
Diodes Incorporated
... Les HEMT GaN, les FET GaAs, les MMIC et les solutions HEMT à faible bruit offrent des performances élevées et une fiabilité sans compromis pour les radars, les stations de base, les SATCOM, les applications point à point et les applications spatiales. ...
... Prises pour CI de puissance Type standard Simple en ligne ●Comment commander ex : PDSA-1076-Sxx-GG x:Nombre de positions 2 à 16 Rigidité diélectrique - Résistance de l'isolation - - Température de fonctionnement EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Nombre ...
JC CHERRY INC.
Tension: 45 V
... Les types BCX51, BCX52 et BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR sont des transistors au silicium PNP fabriqués par le procédé épitaxial planaire, moulés à l'époxy dans un boîtier pour montage en surface, conçus pour des applications d'amplification ...
Central Semiconductor
Courant: 25 mA
Tension: 20 V
... Tension collecteur-émetteur - Vceo 20 V Courant continu du collecteur - Ic - 25 mA Polarité - pol - NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tension ...
Diotec
Courant: 2 A
Tension: 36 V
... Avec ce MOSFET, vous pouvez contrôler une tension allant jusqu'à 36 volts. La modulation de la largeur d'impulsion permet d'abaisser la tension quadratique moyenne (par exemple, pour faire varier l'intensité lumineuse d'une LED). COMPATIBLE AVEC Arduino, ...
Courant: 1 mA - 20 mA
Tension: 2,7 V
Broadcom
Courant: 150 A
Tension: 600 V
... Commutateurs - demi-pont. Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant. Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage de la station ...
Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide et doux anti-parallèle ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 8 V - 35 V
... Le module Bluetooth est un module de transition pour la communication de données entre le mobile et le groupe électrogène. Il est connecté au contrôleur du groupe électrogène via RS485. L'APP du mobile permet d'obtenir des informations sur le groupe électrogène ...
Entrez en contact avec vos nouveaux clients en un seul endroit, toute l'année
Devenir exposant
Le transistor est un composant électronique semi-conducteur à trois broches ; il est utilisé comme interrupteur commandé ou bien comme amplificateur de signal.
ApplicationsLa technologie bipolaire est utilisée en électronique analogique et en électronique de puissance, en particulier comme amplificateur de courant et pour la régulation de tension.
Les transistors MOSFET sont appréciés pour leurs performances en commutation dans des applications de puissance et de haute tension, pour le contrôle de moteur et dans les alimentations à découpage.
On distingue principalement le transistor bipolaire du transistor FET, ou transistor à effet de champ. Le premier est commandé en courant par la base tandis que le second se commande en tension par la grille.
Ils se différencient en particulier par la nature de la chute de tension apparaissant dans le circuit commuté. Le transistor bipolaire introduit une chute de tension minimale liée aux jonctions semi conductrices. Le FET quant à lui présente l’équivalant d’une résistance de passage très basse, quelques millièmes d’ohm.
Les transistors bipolaires se déclinent en types N et P selon l’orientation du courant de commande sur la base.
Le transistor FET à canal P à tension de commande grille source négative est évité car ses performances sont moindres que le FET à canal N.
Il existe d’autres types de transistors : transistors pour la RF ou la HF, transistors Darlington à très fort gain et transistors IGBT et JFET.
Le gain, les courants admissibles et les tensions supportées, les limites en fréquences et le packaging sont des critères importants à prendre en compte dans le choix d’un transistor.
les meilleurs fournisseurs