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Tension directe: 9,2 V - 748,65 V
Tension inverse: 5 V - 440 V
... Sans halogène et conforme à la directive RoHS Pour les applications montées en surface afin d'optimiser l'espace de la carte Boîtier à profil bas Décharge de traction intégrée Jonction passivée au ...
Littelfuse
Tension directe: 13,3 V - 135 V
Tension inverse: 12 V - 110 V
... La solution de diode TVS haute tension 8.0SMDJ offre une dissipation de puissance d'impulsion de pointe de 8000 W dans un boîtier SMC DO-214AB compact. - Fournit une capacité de puissance d'impulsion ...
Littelfuse
Tension directe: 6,12 V - 630 V
Tension inverse: 5,8 V - 512 V
... La série 1.5SMC est spécialement conçue pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les transitoires de tension induits par l'éclairage et d'autres événements de tension transitoire. - Boîtier à profil bas - Décharge ...
Littelfuse
Tension inverse: 650 V
... Champ d'application - Correction du facteur de puissance / Onduleurs solaires / Alimentations sans interruption / Convertisseurs DC-DC Fonctionnalité - Conception de la puce de 2ème génération Nombre de circuits - 1 Connexion interne ...
Toshiba America Electronics Components
Tension inverse: 5 V - 250 V
... sensibles contre les transitoires de haute tension. Leurs jonctions p-n ont une plus grande surface de section que celles d'une diode normale, ce qui leur permet de conduire de grands courants à la terre sans dommage. ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd
Tension inverse: 5,8 V - 468 V
... de 400 W avec une forme d'onde de 10/1000 μS, taux de répétition (cycle de service) : 0.01% ● Pour les applications montées en surface afin d'optimiser l'espace de la carte ● Le mode de défaillance typique est court ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd
Tension inverse: 5 V - 250 V
... La série SMF est conçue spécifiquement pour protéger l'équipement électronique sensible contre les transitoires de tension induites par la foudre et d'autres événements de tension transitoire. Le boîtier SMF est 50 % plus petit que le ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd
Tension directe: 280, 380, 330, 340 V
Tension inverse: 4 500, 5 500, 6 000 V
... part, sont des dispositifs complémentaires pour la conversion CC en CA. Chaque commutateur (GTO, TCGI ou IGBT) nécessite une diode complémentaire (p. ex., pour la puissance réactive en roue "" libre) afin de permettre ...
Tension inverse: 40 V - 1 600 V
... de miniaturisation, une nouvelle génération de diodes à puce de Bourns est apparue, offrant la possibilité de fournir une diode en silicium avec un encombrement minimal. Les diodes 0603, 1005 et 1206 pour petits signaux ...
Tension directe: 3,3 V - 24 V
Tension inverse: 4 V - 26,2 V
... Mise en marche rapide Faible tension de serrage Tension de résistance élevée aux décharges électrostatiques (ESD) Protection uni ou bidirectionnelle Petit boîtier Résistant à la flamme époxy UL94 V-0 Applications Alimentation DC USB ...
Würth Elektronik eiSos
Tension directe: 4 V
Tension inverse: 40, 45, 100 V
... Redressement de la sortie, protection de la polarité Applications typiques Appareils alimentés par batterie Redressement de la sortie dans les Convertisseurs DC/DC Protection de la polarité Diodes de roue libre Qualité commerciale Suffixe ...
Diotec
Tension directe: 0,5 V - 0,85 V
Tension inverse: 20 V - 150 V
... Applications typiques Rectification de la sortie dans les convertisseurs DC/DC Protection de la polarité, Diodes de roue libre Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : AEC-Q101 conforme り Suffixe -AQ : AEC-Q101 qualifié う Caractéristiques Faible ...
Diotec
Tension directe: 1 V
Tension inverse: 30 V
... Applications typiques Traitement des signaux Commutation commutation à haute vitesse Protection de la polarité Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101 ') Suffixe -AQ : conforme à la norme AEC-Q101 ...
Diotec
Broadcom
Tension directe: 1,5 V - 3 V
Tension inverse: 1 250, 600, 650 V
... Les diodes à récupération rapide de Renesas offrent des temps de récupération rapides à des fins de redressement dans des applications à très haute fréquence. ...
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 30 V - 200 V
Tension inverse: 0,4 V - 0,9 V
... STMicroelectronics fournit des outils qui permettent aux concepteurs de trouver rapidement le redresseur à effet de champ ou la diode Schottky qui convient le mieux à leur application grâce à notre simulateur en ligne ...
Tension directe: 1,8 V - 200 V
ON Semiconductor
Tension inverse: 200 V - 1 000 V
... La série de redresseurs à haute densité de courant CMMR1 à SEMICONDUCTEUR CENTRAL, dans un SOD-123F les boîtiers de montage en surface sont conçus pour tous les types d'ordinateurs commerciaux, industriels et automobiles les ...
Central Semiconductor
Diodes Incorporated
Tension directe: 21 V
Tension inverse: 10 kV
... Caractéristiques du produit 1. Faible fuite, résistance aux chocs et aux avalanches protection, etc. 2. Petite taille, facile à installer, adaptée à la production automatique. 3. Caractéristiques de commutation à grande vitesse, ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tension directe: 0,38 V - 0,95 V
Tension inverse: 20 V - 200 V
Frontier Electronics, Corp.
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